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科學家們可能無意地克服了告成遴選下一代數據存儲本領的要緊貶抑。

詢查東談主員暗示，他們駕馭一種名為硒化銦 (In2Se3) 的特有材料，發現了一種裁汰相變存儲器(PCM)能量需求的本領，相變存儲器是一種無需恒定電源即可存儲數據的本領，其能量需求最高可裁汰 10 億倍。

詢查東談主員在 11 月 6 日發表在《當然》雜志上的一項詢查中暗示，這一沖破朝著克服 PCM 數據存儲領域的最大挑戰之一邁出了一步，可能為低功耗存儲豎立和電子產物鋪平談路。

PCM 是通用內存的首選——打算內存，既不錯替代隨即存取存儲器 (RAM) 等短期內存，也不錯替代固態硬盤 (SSD) 或硬盤等存儲豎立。RAM 速率很快，但需要廣寬物理空間和恒定電源智商啟動，而 SSD 或硬盤的密度要大得多，不錯在打算機關閉時存儲數據。通用內存說合了兩者的優點。

它的責任旨趣是讓材料在兩種現象之間切換：晶體（原子整王人陳列）和非晶體（原子隨即陳列）。這些現象與二進制 1 和 0 相關，通過現象切換對數據進行編碼。

但是，用于切換這些現象的“熔融淬火本領”——觸及加熱和快速冷卻 PCM 材料——需要廣寬動力，這使得該本領資本昂貴且難以邊界化。在他們的詢查中，詢查東談主員找到了一種十足繞過熔融淬火流程的措施，即通過電荷統一非晶化。這大大裁汰了 PCM 的動力需求，并可能為更平庸的交易應用開放大門。

賓夕法尼亞大學工程學院材料科學與工程詮釋注解、這項詢查的作家Ritesh Agarwal在一份聲明中暗示：“相變存儲豎立尚未獲得平庸應用的原因之一是所需的能量?！彼f，這些發現關于瞎想低功耗存儲豎立的后勁是“廣大的”。

詢查東談主員的發現取決于硒化銦的特有性質，這是一種兼具“鐵電”和“壓電”特質的半導體材料。鐵電材料不錯自覺極化，這意味著它們不錯在不需要外部電荷的情況下產生里面電場。比較之下，壓電材料在戰役電荷時會發生物理變形。

在測試這種材料時，詢查東談主員發現，當材料透露在銜接電流下時，其部分會非晶化。更蹙迫的是，這是十足有時發生的。

“我其時簡直觀得我可能損壞了電線，”這項詢查的共同作家、賓夕法尼亞大學工程學院材料科學與工程專科的前博士生Gaurav Modi在聲明中說談?！敖洺Ｇ闆r下，你需要電脈沖來激發任何類型的非晶化，而這里銜接的電流破碎了晶體結構，這是不應該發生的?！?/p>

進一步分析發現，半導體的特質會激發四百四病。率先，電流會引起材料發生輕微變形，從而激發“聲學漣漪”——一種肖似于地震時分的聲波。然后，這種聲波穿過材料，將非晶化擴散到微米級區域，詢查東談主員將其比作雪崩蘊蓄動量的機制。

詢查東談主員解釋稱，硒化銦的多種特質（包括其二維結構、鐵電性和壓電性）共同作用，使沖擊激發的非晶化流程約略以超死板量兌現。他們在詢查中寫談，這可能為改日圍繞“低功耗電子和光子應用的新材料和豎立”的詢查奠定基礎。

阿加瓦爾在聲明中暗示：“這為詢查當所有這些特質說合在一齊時材料中可能發生的結構轉念開荒了一個新領域?！?/p>

https://www.livescience.com/technology/computing/accidental-discovery-creates-candidate-for-universal-memory-a-weird-semiconductor-that-consumes-a-billion-times-less-power

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